NMOS vs PMOS
En FET (Field Effect Transistor) er en spændingsstyret enhed, hvor dens nuværende bæreevne ændres ved at anvende et elektronisk felt. En almindeligt anvendt type FET er Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET). MOSFET bruges i vid udstrækning i integrerede kredsløb og applikationer til hurtig skift. MOSFET fungerer ved at inducere en ledende kanal mellem to kontakter kaldet kilden og afløbet ved at påføre en spænding på den oxidisolerede portelektrode. Der er to hovedtyper af MOSFET kaldet nMOSFET (almindeligvis kendt som NMOS) og pMOSFET (almindeligvis kendt som PMOS) afhængigt af typen af bærere, der strømmer gennem kanalen.
Hvad er NMOS?
Som tidligere nævnt er NMOS (nMOSFET) en type MOSFET. En NMOS-transistor består af n-type kilde og afløb og et p-type substrat. Når en spænding påføres porten, køres huller i legemet (p-type substrat) væk fra porten. Dette gør det muligt at danne en n-type kanal mellem kilden og afløbet, og en strøm føres af elektroner fra kilde til afløbet gennem en induceret n-type kanal. Logiske porte og andre digitale enheder implementeret ved hjælp af NMOS'er siges at have NMOS-logik. Der er tre driftsformer i en NMOS kaldet cut-off, triode og saturation. NMOS-logik er let at designe og fremstille. Men kredsløb med NMOS-logiske porte spredes statisk effekt, når kredsløbet går i tomgang, da jævnstrøm strømmer gennem logikporten, når udgangen er lav.
Hvad er PMOS?
Som tidligere nævnt er PMOS (pMOSFET) en type MOSFET. En PMOS-transistor består af p-type kilde og afløb og et n-type substrat. Når der tilføres en positiv spænding mellem kilden og porten (negativ spænding mellem port og kilde), dannes en p-type kanal mellem kilden og afløbet med modsatte polariteter. En strøm føres af huller fra kilde til afløb gennem en induceret p-type kanal. En høj spænding på porten får en PMOS til ikke at lede, mens en lav spænding på porten får den til at lede. Logiske porte og andre digitale enheder implementeret ved hjælp af PMOS siges at have PMOS-logik. PMOS-teknologi er billig og har en god støjimmunitet.
Hvad er forskellen mellem NMOS og PMOS?
NMOS er bygget med n-type kilde og afløb og et p-type substrat, mens PMOS er bygget med p-type kilde og afløb og et n-type substrat. I et NMOS er bærere elektroner, mens bærere er huller i en PMOS. Når der tilføres en høj spænding til porten, vil NMOS lede, mens PMOS ikke vil. Når en lav spænding anvendes i porten, vil NMOS desuden ikke lede og PMOS vil lede. NMOS anses for at være hurtigere end PMOS, da bærerne i NMOS, som er elektroner, rejser dobbelt så hurtigt som huller, som er bærerne i PMOS. Men PMOS-enheder er mere immune over for støj end NMOS-enheder. Desuden ville NMOS IC'er være mindre end PMOS IC'er (der giver den samme funktionalitet), da NMOS kan tilvejebringe halvdelen af impedansen tilvejebragt af en PMOS (som har samme geometri og driftsbetingelser).
