2024 Forfatter: Mildred Bawerman | [email protected]. Sidst ændret: 2023-12-16 08:37
IGBT vs GTO
GTO (Gate Turn-off Thyristor) og IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) er to typer halvlederanordninger med tre terminaler. Begge bruges til at kontrollere strømme og til skifteformål. Begge enheder har en styrende terminal kaldet 'gate', men har forskellige driftsprincipper.
GTO (Gate Turn-off Thyristor)
GTO er lavet af fire halvlederlag af typen P og N, og enhedens struktur er lidt anderledes sammenlignet med en normal tyristor. I analyse betragtes GTO også som koblet par transistorer (en PNP og anden i NPN-konfiguration), det samme som for normale tyristorer. Tre terminaler i GTO kaldes 'anode', 'katode' og 'port'.
I drift fungerer thyristor ledende, når en puls tilføres porten. Den har tre driftsformer kendt som 'omvendt blokerende tilstand', 'fremad blokerende tilstand' og 'fremadgående tilstand'. Når porten er udløst med pulsen, går tyristoren til 'fremadledende tilstand' og fortsætter med at lede, indtil den fremadgående strøm bliver mindre end tærsklen 'holdestrøm'.
Ud over funktionerne i normale tyristorer kan GTO's 'slukkede' tilstand også kontrolleres gennem negative impulser. I normale tyristorer sker 'slukket' automatisk.
GTO'er er power-enheder og bruges mest i vekselstrømsapplikationer.
Isoleret port bipolar transistor (IGBT)
IGBT er en halvlederenhed med tre terminaler kendt som 'Emitter', 'Collector' og 'Gate'. Det er en type transistor, der kan håndtere en større mængde strøm og har en højere skiftehastighed, der gør den højeffektiv. IGBT er blevet introduceret på markedet i 1980'erne.
IGBT har de kombinerede funktioner i både MOSFET og bipolar junction transistor (BJT). Det er portdrevet som MOSFET og har aktuelle spændingsegenskaber som BJT'er. Derfor har den fordelene ved både høj strømhåndteringsevne og nem kontrol. IGBT-moduler (består af et antal enheder) håndterer kilowatt strøm.
Hvad er forskellen mellem IGBT og GTO?
1. Tre terminaler af IGBT er kendt som emitter, collector og gate, hvorimod GTO har terminaler kendt som anode, katode og gate.
2. Gate til GTO har kun brug for en puls for at skifte, mens IGBT har brug for en kontinuerlig forsyning af gate-spænding.
3. IGBT er en type transistor, og GTO er en type tyristor, der kan betragtes som et tæt koblet par transistorer i analysen.
4. IGBT har kun et PN-kryds, og GTO har tre af dem
5. Begge enheder bruges i applikationer med høj effekt.
6. GTO har brug for eksterne enheder til at styre impulser til slukning og tænding, mens IGBT ikke har brug for det.
Anbefalet:
Forskellen Mellem BJT Og IGBT
BJT vs IGBT BJT (Bipolar Junction Transistor) og IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) er to typer transistorer, der bruges til at styre strømme. Begge devi
Forskellen Mellem IGBT Og Thyristor
IGBT vs Thyristor Thyristor og IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) er to typer halvlederanordninger med tre terminaler, og begge er u
Forskellen Mellem IGBT Og MOSFET
IGBT vs MOSFET MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) og IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) er to typer transistorer, og bo
Forskellen Mellem Nøgleforskellen Mellem Metalliske Og Ikke-metalliske Mineraler
Nøgleforskel - Metallisk vs. ikke-metalliske mineraler Et mineral er en naturligt forekommende fast og uorganisk bestanddel med en bestemt kemisk formel og
Forskellen Mellem Gammel Engelsk Og Mellem Engelsk Og Moderne Engelsk
Old English vs Middle English vs Modern English Old English, Middle English og Modern English er klassificeringen af engelsk, og de
